ArchivIA Università degli Studi di Catania
 

ArchivIA - Archivio istituzionale dell'Universita' di Catania >
Tesi >
Tesi di dottorato >
Area 02 - Scienze fisiche >

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/10761/937

Data: 2-feb-2012
Autori: Scapellato, Giorgia Graziella
Titolo: B and Sb in germanium for micro and optoelectronics
Abstract: This thesis is focused on the study and optimization of Ge as a mterial alternative to Si for new generation, more performing micro and optoelectronic devices. In particular the B and Sb doping in Ge have been investigated.
InArea 02 - Scienze fisiche

Full text:

File Descrizione DimensioniFormatoConsultabilità
SCPGGG84D63C351X-ScapellatoGiorgiaG_tesi di dottorato.pdfScapellato_tesi7,32 MBAdobe PDFVisualizza/apri


Tutti i documenti archiviati in ArchivIA sono protetti da copyright. Tutti i diritti riservati.


Segnala questo record su
Del.icio.us

Citeulike

Connotea

Facebook

Stumble it!

reddit


 

  Browser supportati Firefox 3+, Internet Explorer 7+, Google Chrome, Safari

ICT Support, development & maintenance are provided by the AePIC team @ CILEA. Powered on DSpace Software.